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測試服務(wù)

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Testing service

晶邊刻蝕工藝詳解
晶邊刻蝕工藝詳解

2025-12-26

3D NAND 因堆疊層數(shù)激增,晶圓中心到邊緣的膜層厚度差異可達(dá) 20% 以上,為缺陷埋下隱患。最常見的剝落缺陷,根源在于膜層應(yīng)力與附著力失衡:沉積...

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為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%?
為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%?

2026-01-23

洗邊本質(zhì)是通過消除邊緣工藝偏差,保障晶圓全局的工藝一致性。勻膠時,晶圓在高速旋轉(zhuǎn)下,光刻膠受離心力作用向邊緣擴(kuò)散,但受表面張力、晶圓邊緣形貌...

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MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解
MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解

2025-07-21

在MEMS器件的制造流程中,犧牲層去除工藝始終是決定器件良率與可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。這一過程的核心挑戰(zhàn)在于:如何在釋放可動微結(jié)構(gòu)的同時,避免因機(jī)...

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濕法腐蝕工藝開發(fā)的過程中需要注意哪些問題?
濕法腐蝕工藝開發(fā)的過程中需要注意哪些問題?

2025-08-22

1.現(xiàn)有工藝復(fù)用優(yōu)先原則 2,新工藝開發(fā)的成本-風(fēng)險模型 1.腐蝕液配方設(shè)計三原則 原則2——工藝窗口寬泛化:±2℃時腐蝕速率變化<5%;HCl體系pH...

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