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MEMS加工

為成就您的產(chǎn)品，而努力

Work hard to make your product

特殊工藝
  • 硅、玻璃表面微加工技術(shù)
    微結(jié)構(gòu)薄膜材料：二氧化硅、氮化硅、多晶硅；金屬薄膜：Al、Au、MO、W、Pt等。
  • 表面微加工犧牲層工藝
    常用犧牲層選擇有：PI、SiO2、Si、Cu等。
  • 體硅加工技術(shù)
    可利用刻蝕等工藝對(duì)塊硅進(jìn)行準(zhǔn)三維結(jié)構(gòu)的微加工，以形成所需要的硅微結(jié)構(gòu)。
  • 通孔制作技術(shù)
    硅通孔技術(shù)（TSV）、玻璃通孔技術(shù)（TGV）


案例展示


                            

                    RF MEMS Beam Solution                             TSV（Cu&Sn鍵合）Process                                  TGV Solution









晶邊刻蝕工藝詳解
晶邊刻蝕工藝詳解

2025-12-26

3D NAND 因堆疊層數(shù)激增，晶圓中心到邊緣的膜層厚度差異可達(dá) 20% 以上，為缺陷埋下隱患。最常見的剝落缺陷，根源在于膜層應(yīng)力與附著力失衡：沉積...

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為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%？
為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%？

2026-01-23

洗邊本質(zhì)是通過消除邊緣工藝偏差，保障晶圓全局的工藝一致性。勻膠時(shí)，晶圓在高速旋轉(zhuǎn)下，光刻膠受離心力作用向邊緣擴(kuò)散，但受表面張力、晶圓邊緣形貌...

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MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解
MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解

2025-07-21

在MEMS器件的制造流程中，犧牲層去除工藝始終是決定器件良率與可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。這一過程的核心挑戰(zhàn)在于：如何在釋放可動(dòng)微結(jié)構(gòu)的同時(shí)，避免因機(jī)...

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濕法腐蝕工藝開發(fā)的過程中需要注意哪些問題？
濕法腐蝕工藝開發(fā)的過程中需要注意哪些問題？

2025-08-22

1.現(xiàn)有工藝復(fù)用優(yōu)先原則 2，新工藝開發(fā)的成本-風(fēng)險(xiǎn)模型 1.腐蝕液配方設(shè)計(jì)三原則 原則2——工藝窗口寬泛化：±2℃時(shí)腐蝕速率變化<5%；HCl體系pH...

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