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微流道芯片

微流道芯片

Product pilot test

硅流道芯片
純硅模具是制備高深寬比微通道的理想選擇,利用硅的干法刻蝕技術(shù),可以輕松實(shí)現(xiàn)深寬比最高達(dá)25:1的微通道結(jié)構(gòu),而且線條寬度可控制在2微米以上,精度誤差僅在±1微米范圍內(nèi),該方法可以彌補(bǔ)光刻膠在高深寬方面的不足之處。硅干法刻蝕具體流程如右圖然而,硅表面通常具有強(qiáng)烈的親水性,這可能導(dǎo)致PDMS芯片在脫模時(shí)黏附在硅表面,制造過(guò)程中的一大挑戰(zhàn)。為解決這個(gè)問(wèn)題,通常需要對(duì)硅表面進(jìn)行疏水修飾,使硅表面變得疏水,確保PDMS芯片能夠輕松從硅模具上脫離,而不受親水性的干擾(具體疏水解決方案可咨詢

特點(diǎn)
它對(duì)有機(jī)溶劑的耐受性
容易金屬沉積
優(yōu)越的導(dǎo)熱性,表面穩(wěn)定性
加工案例
T型液滴
晶邊刻蝕工藝詳解
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2025-12-26

3D NAND 因堆疊層數(shù)激增,晶圓中心到邊緣的膜層厚度差異可達(dá) 20% 以上,為缺陷埋下隱患。最常見(jiàn)的剝落缺陷,根源在于膜層應(yīng)力與附著力失衡:沉積...

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為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%?
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2026-01-23

洗邊本質(zhì)是通過(guò)消除邊緣工藝偏差,保障晶圓全局的工藝一致性。勻膠時(shí),晶圓在高速旋轉(zhuǎn)下,光刻膠受離心力作用向邊緣擴(kuò)散,但受表面張力、晶圓邊緣形貌...

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MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解
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2025-07-21

在MEMS器件的制造流程中,犧牲層去除工藝始終是決定器件良率與可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。這一過(guò)程的核心挑戰(zhàn)在于:如何在釋放可動(dòng)微結(jié)構(gòu)的同時(shí),避免因機(jī)...

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濕法腐蝕工藝開(kāi)發(fā)的過(guò)程中需要注意哪些問(wèn)題?
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2025-08-22

1.現(xiàn)有工藝復(fù)用優(yōu)先原則 2,新工藝開(kāi)發(fā)的成本-風(fēng)險(xiǎn)模型 1.腐蝕液配方設(shè)計(jì)三原則 原則2——工藝窗口寬泛化:±2℃時(shí)腐蝕速率變化<5%;HCl體系pH...

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