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MEMS加工

為成就您的產(chǎn)品，而努力

Work hard to make your product

鍍膜
  • 低壓化學氣相沉積
    SiNx，片內(nèi)均勻性：<±5%
  • 等離子增強 化學氣相沉積
    SiO?，SiNx，a-Si(B,P,Ge摻雜)
  • 感應耦合 化學氣相沉積
    SiO?，SiNx，SiC(低溫、低應力鍍膜)
  • 原子層沉積
    Al2O3、HfO2、AlN
  • 光學鍍膜
    SiO2、MgF2、ITO、TiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3
  • 濺射沉積
    Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW90、Pd、Pt、Zn、Mo、W、Ta、Ru、Si、SiC、NiCr20、Nb
  • 電子束蒸發(fā)
    Ti，Al，Ni，Ag，Cr，Sn，Pt，AuGe
  • 熱蒸發(fā)
    Sn，AuSn，Ag，Au

案例展示


                        

                      高密度金屬Al厚膜                                金屬膜沉積                       20nm HfO2  onto Si trenches                   Au Lift-off Process

                                                                                                                                    （AR=25）








晶邊刻蝕工藝詳解
晶邊刻蝕工藝詳解

2025-12-26

3D NAND 因堆疊層數(shù)激增，晶圓中心到邊緣的膜層厚度差異可達 20% 以上，為缺陷埋下隱患。最常見的剝落缺陷，根源在于膜層應力與附著力失衡：沉積...

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為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%？
為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%？

2026-01-23

洗邊本質(zhì)是通過消除邊緣工藝偏差，保障晶圓全局的工藝一致性。勻膠時，晶圓在高速旋轉(zhuǎn)下，光刻膠受離心力作用向邊緣擴散，但受表面張力、晶圓邊緣形貌...

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MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解
MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解

2025-07-21

在MEMS器件的制造流程中，犧牲層去除工藝始終是決定器件良率與可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。這一過程的核心挑戰(zhàn)在于：如何在釋放可動微結(jié)構(gòu)的同時，避免因機...

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濕法腐蝕工藝開發(fā)的過程中需要注意哪些問題？
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2025-08-22

1.現(xiàn)有工藝復用優(yōu)先原則 2，新工藝開發(fā)的成本-風險模型 1.腐蝕液配方設(shè)計三原則 原則2——工藝窗口寬泛化：±2℃時腐蝕速率變化<5%；HCl體系pH...

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