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測試服務

測試服務

Testing service

開封技術(shù)
Decap即開封

也稱開蓋,開帽,指給完整封裝的IC做*局部腐蝕,使得IC可以暴露出來,同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受損傷, 為下一步芯片失效分析實驗做準備,方便觀察或做其他測試(如FIB,EMMI),Decap后功能正常。

去封范圍:

普通封裝 COB、BGA、QFP、 QFN、SOT、TO、 DIP、BGA、COB 陶瓷、金屬等其它特殊封裝。

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激光開封機臺(Laser Decap)產(chǎn)品特點:

1、對銅制程器件有很好的開封效果,良率高于90%。
2、對環(huán)境及人體污染傷害較小。
3、開封效率是普通酸開封機臺的3~5倍。
4、電腦控制開封,操作簡單。
5、設(shè)備穩(wěn)定。
6、開封價格低,速度快。



晶邊刻蝕工藝詳解
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2025-12-26

3D NAND 因堆疊層數(shù)激增,晶圓中心到邊緣的膜層厚度差異可達 20% 以上,為缺陷埋下隱患。最常見的剝落缺陷,根源在于膜層應力與附著力失衡:沉積...

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為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%?
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2026-01-23

洗邊本質(zhì)是通過消除邊緣工藝偏差,保障晶圓全局的工藝一致性。勻膠時,晶圓在高速旋轉(zhuǎn)下,光刻膠受離心力作用向邊緣擴散,但受表面張力、晶圓邊緣形貌...

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MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解
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2025-07-21

在MEMS器件的制造流程中,犧牲層去除工藝始終是決定器件良率與可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。這一過程的核心挑戰(zhàn)在于:如何在釋放可動微結(jié)構(gòu)的同時,避免因機...

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濕法腐蝕工藝開發(fā)的過程中需要注意哪些問題?
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2025-08-22

1.現(xiàn)有工藝復用優(yōu)先原則 2,新工藝開發(fā)的成本-風險模型 1.腐蝕液配方設(shè)計三原則 原則2——工藝窗口寬泛化:±2℃時腐蝕速率變化<5%;HCl體系pH...

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