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MEMS加工

為成就您的產(chǎn)品，而努力

Work hard to make your product

光刻
  • 接觸式光刻
    最小圖形尺寸：1μm，套刻精度：±0.5μm
  • 步進(jìn)式光刻
    投影比例1:5，最小圖形尺寸：0.35μm 套刻精度≤0.15μm(X,Y)，曝光范圍<22.5*22.5mm
  • 電子束光刻
    最小圖形尺寸：10nm，套刻精度：40nm 曝光范圍<直徑75mm
  • 雙面對(duì)準(zhǔn)光刻
    最小圖形尺寸：1μm，正面套刻精度：±0.5μm 背面套刻精度：±0.5μm
  • 勻膠/顯影
    正膠：50nm~20μm，負(fù)膠：50~400nm
  • 噴膠
    單次厚度<2μm
  • 熱板/烘箱
    熱板溫度<180℃，烘箱溫度<350℃




案例展示


                                    

                 納米線@PMMA CD 8nm                二維光柵 with CD 50nm                  變直徑納米盤(pán) 誤差±5nm             Φ100um 光波導(dǎo) 線寬700nm








晶邊刻蝕工藝詳解
晶邊刻蝕工藝詳解

2025-12-26

3D NAND 因堆疊層數(shù)激增，晶圓中心到邊緣的膜層厚度差異可達(dá) 20% 以上，為缺陷埋下隱患。最常見(jiàn)的剝落缺陷，根源在于膜層應(yīng)力與附著力失衡：沉積...

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為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%？
為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%？

2026-01-23

洗邊本質(zhì)是通過(guò)消除邊緣工藝偏差，保障晶圓全局的工藝一致性。勻膠時(shí)，晶圓在高速旋轉(zhuǎn)下，光刻膠受離心力作用向邊緣擴(kuò)散，但受表面張力、晶圓邊緣形貌...

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MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解
MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解

2025-07-21

在MEMS器件的制造流程中，犧牲層去除工藝始終是決定器件良率與可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。這一過(guò)程的核心挑戰(zhàn)在于：如何在釋放可動(dòng)微結(jié)構(gòu)的同時(shí)，避免因機(jī)...

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濕法腐蝕工藝開(kāi)發(fā)的過(guò)程中需要注意哪些問(wèn)題？
濕法腐蝕工藝開(kāi)發(fā)的過(guò)程中需要注意哪些問(wèn)題？

2025-08-22

1.現(xiàn)有工藝復(fù)用優(yōu)先原則 2，新工藝開(kāi)發(fā)的成本-風(fēng)險(xiǎn)模型 1.腐蝕液配方設(shè)計(jì)三原則 原則2——工藝窗口寬泛化：±2℃時(shí)腐蝕速率變化<5%；HCl體系pH...

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