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  • 顯影技術(shù)
    顯影技術(shù)

    2023-09-04

    顯影是在硅片表面光刻膠中產(chǎn)生圖形的關(guān)鍵步驟。光刻膠上的可溶解區(qū)域被化學(xué)顯影劑溶解,將可見(jiàn)的島或者窗口圖形留在硅片表面。最常見(jiàn)的顯影方法是旋轉(zhuǎn)...

  • EUV技術(shù)對(duì)掩膜版和光刻膠的要求
    EUV技術(shù)對(duì)掩膜版和光刻膠的要求

    2023-09-01

    EUV與現(xiàn)有光刻技術(shù)的主要區(qū)別,在于極紫外投影光刻系統(tǒng)使用了反射式掩模。反射式掩模采用堅(jiān)固的背支撐結(jié)構(gòu).可以有效地防止由裝校應(yīng)力以及熱應(yīng)力產(chǎn)...

  • 精準(zhǔn)醫(yī)療的MEMS——微流控技術(shù)
    精準(zhǔn)醫(yī)療的MEMS——微流控技術(shù)

    2023-08-30

    臨床醫(yī)學(xué)全面走向個(gè)性化醫(yī)療診療是當(dāng)今醫(yī)學(xué)發(fā)展的一大方向,精準(zhǔn)的體外診斷技術(shù)是正確診療的基本保證。而體外診斷基本主要是基于體液(血液,尿液,唾...

  • 套刻誤差 (Overlay)
    套刻誤差 (Overlay)

    2023-08-30

    光刻機(jī)的工作過(guò)程是這樣的:逐一曝光完硅片上所有的場(chǎng)(field),亦即分步,然后更換硅片,直至曝光完所有的硅片;當(dāng)對(duì)硅片進(jìn)行工藝處理結(jié)束后,更換掩...

  • 激光直寫(xiě)的應(yīng)用領(lǐng)域
    激光直寫(xiě)的應(yīng)用領(lǐng)域

    2023-08-29

    激光直寫(xiě)光刻(laser direct write lithography,LDWL)作為一種無(wú)掩模光刻技術(shù),是利用強(qiáng)度可變的激光束對(duì)基片表面的抗蝕材料實(shí)施變劑量曝光,顯影...

  • 等離子刻蝕的應(yīng)用案例
    等離子刻蝕的應(yīng)用案例

    2023-08-29

    離子刻蝕主要應(yīng)用在微電子制作工藝中,所有主要的處理對(duì)象是硅,用于精確圖形轉(zhuǎn)移。此外其還廣泛應(yīng)用于等離子刻蝕平板、薄膜刻蝕以及纖維刻蝕中。 1.精...

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