一、什么是All-in-One Etch？
一體化刻蝕（All-in-One Etch, AIO）是一種將多步驟刻蝕工藝整合至單一工序的技術(shù)。與傳統(tǒng)分步刻蝕不同，AIO通過(guò)優(yōu)化掩膜設(shè)計(jì)與反應(yīng)氣體配比，在單次工藝中同步完成通孔（Via）、溝槽（Trench）的刻蝕及光刻膠去除（PR Strip），顯著提升效率并降低成本。
二、AIO的核心優(yōu)勢(shì)
? 傳統(tǒng)工藝（如Via First/Trench First）需3-5道獨(dú)立工序，AIO僅需1次刻蝕。
? 以金屬硬掩模（MHM）為例，AIO減少2次光刻膠涂覆與灰化步驟。
? 避免多次工藝對(duì)Low-k介質(zhì)的累積損傷，界面漏電降低30%。
? 通孔與溝槽的套刻精度（Overlay）提升至±2nm。設(shè)備占用時(shí)間減少40%，單片晶圓加工成本下降15-20%。
三、AIO與傳統(tǒng)工藝對(duì)比
四、金屬硬掩模（MHM）的AIO實(shí)踐
1. 技術(shù)背景
在40/45nm及以上節(jié)點(diǎn)后段（BEOL）工藝中，MHM因其優(yōu)異的Low-k保護(hù)能力（k=2.5-2.7）和邊緣粗糙度控制（LER<1nm），逐步取代傳統(tǒng)VFTL（Via First Trench Last）工藝。
2. 工藝實(shí)現(xiàn)
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采用雙層掩模（TaN/TiN），同步定義Via與Trench圖形。
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主刻蝕氣體：CF?/CHF?/O?（Via刻蝕）。
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側(cè)壁鈍化氣體：C?F?（抑制Low-k損傷）。
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通過(guò)OES（光學(xué)發(fā)射光譜）實(shí)時(shí)監(jiān)控SiF?信號(hào)，精度達(dá)±5nm。
五、Etch Loading效應(yīng)與應(yīng)對(duì)
刻蝕負(fù)載效應(yīng)（Etch Loading）指刻蝕速率因圖形密度差異而產(chǎn)生非均勻性。例如，密集區(qū)域的刻蝕速率可能比稀疏區(qū)低20%。AIO工藝中需通過(guò)以下手段優(yōu)化：1.氣體脈沖調(diào)制：交替通入刻蝕/鈍化氣體，平衡反應(yīng)速率。2.射頻偏壓調(diào)節(jié)：動(dòng)態(tài)調(diào)整離子轟擊能量，補(bǔ)償圖形密度差異。3.掩模補(bǔ)償設(shè)計(jì)：通過(guò)OPC（光學(xué)鄰近校正）預(yù)畸變掩模圖形。
六、行業(yè)應(yīng)用與挑戰(zhàn)
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先進(jìn)制程：臺(tái)積電7nm工藝中，AIO技術(shù)將互連層加工時(shí)間縮短至傳統(tǒng)工藝的60%。
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高深寬比（>10:1）結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形貌控制。
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極紫外（EUV）光刻與AIO的協(xié)同優(yōu)化。
一體化刻蝕技術(shù)通過(guò)整合多道工序，在提升效率的同時(shí)降低對(duì)敏感介質(zhì)的損傷，已成為先進(jìn)制程的核心工藝之一。隨著3nm及以下節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，AIO在工藝復(fù)雜度與精度平衡上的價(jià)值將愈發(fā)凸顯。
公安備案號(hào)：蘇公網(wǎng)安備32059002006658號(hào)
微特云辦公系統(tǒng) 微納制造 MEMS設(shè)計(jì)
