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mems加工工藝有輻射嗎?

點(diǎn)擊量:1909 日期:2020-07-14 編輯:硅時(shí)代

MEMS加工工藝是基于襯底(玻璃襯底,石英襯底,藍(lán)寶石襯底等等)進(jìn)行的MEMS微加工工藝。根據(jù)襯底在工藝中不同的角色作用,硅微MEMS可分為表面加工和體加工兩類(lèi)

表面加工是基于襯底表面進(jìn)行的微結(jié)構(gòu)制作加工,不需要對(duì)襯底進(jìn)行刻蝕加工,包括以下主要工藝:

犧牲層和結(jié)構(gòu)層的薄膜沉積技術(shù),包括熱氧化,CVD,PVD,蒸發(fā)等常規(guī)IC工藝;

定義圖像光刻技術(shù);

犧牲層和結(jié)構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移的刻蝕技術(shù),包括干法刻蝕和濕法刻蝕兩類(lèi);

犧牲層去除的釋放工藝,包括干法釋放和釋放釋放兩類(lèi)

體加工則需要對(duì)襯底進(jìn)行加工,制作三維立體微結(jié)構(gòu),除了常規(guī)薄膜沉積、光刻、刻蝕工藝外,重點(diǎn)需要對(duì)襯底加工的腐蝕工藝,如干法深硅刻蝕工藝和KOH釋放腐蝕工藝等;

正常的MEMS加工工藝是沒(méi)有輻射的,其中制作電阻材料時(shí)會(huì)用到離子注入摻雜工藝,會(huì)帶來(lái)一些輻射風(fēng)險(xiǎn),但設(shè)備制造商會(huì)對(duì)此輻射源進(jìn)行隔離,設(shè)備正常運(yùn)作時(shí)是不會(huì)有此風(fēng)險(xiǎn)的,設(shè)備輻射源異常時(shí)則可能帶來(lái)輻射,此時(shí)就需要對(duì)設(shè)備進(jìn)行維修保養(yǎng),以恢復(fù)設(shè)備正常狀況。


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